Formation of C49-TiSi2 in flash memories : a nucleation controlled phenomenon ? - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Microelectronic Engineering Année : 2003

Formation of C49-TiSi2 in flash memories : a nucleation controlled phenomenon ?

Domaines

Matériaux

Dates et versions

hal-01951275 , version 1 (11-12-2018)

Identifiants

Citer

Dominique Mangelinck, P. Gas, T. Badéche, E. Taing, F. Nemouchi, et al.. Formation of C49-TiSi2 in flash memories : a nucleation controlled phenomenon ?. Microelectronic Engineering, 2003, 70, pp.220-225. ⟨10.1016/S0167-9317(03)00435-0⟩. ⟨hal-01951275⟩
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