Growth temperature dependence of epitaxial Gd2O3 films on Si(111) - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Microelectronic Engineering Année : 2009
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01940600 , version 1 (30-11-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01940600 , version 1

Citer

Guillaume Saint-Girons, G. Niu, B. Vilquin, N. Baboux, C. Plossu, et al.. Growth temperature dependence of epitaxial Gd2O3 films on Si(111). Microelectronic Engineering, 2009, 86 (7-9), pp.1700-1702. ⟨hal-01940600⟩
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