Development of robust interfaces based on crystalline γ-Al2O3(001) for subsequent deposition of amorphous high-κ oxides - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Microelectronic Engineering Année : 2007

Development of robust interfaces based on crystalline γ-Al2O3(001) for subsequent deposition of amorphous high-κ oxides

C. Merckling
  • Fonction : Auteur
M. El-Kazzi
  • Fonction : Auteur
L. Becerra
  • Fonction : Auteur
Institut des Nanosciences de Paris
L. Largeau
Laboratoire de photonique et de nanostructures
CV
G. Patriarche
Laboratoire de photonique et de nanostructures
Guillaume Saint-Girons
INL - Hétéroepitaxie et Nanostructures
CV
G. Hollinger
  • Fonction : Auteur
INL - Hétéroepitaxie et Nanostructures

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

Guillaume Saint-Girons  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01939913

Soumis le : jeudi 29 novembre 2018-19:50:51

Dernière modification le : vendredi 22 décembre 2023-11:37:07

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Dates et versions

hal-01939913 , version 1 (29-11-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01939913 , version 1

Citer

C. Merckling, M. El-Kazzi, L. Becerra, L. Largeau, G. Patriarche, et al.. Development of robust interfaces based on crystalline γ-Al2O3(001) for subsequent deposition of amorphous high-κ oxides. Microelectronic Engineering, 2007, 84 (9-10), pp.2243-2246. ⟨hal-01939913⟩

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