Metal-organic vapor-phase epitaxy of defect-free InGaAs/GaAs quantum dots emitting around 1.3μm - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Crystal Growth Année : 2002

Metal-organic vapor-phase epitaxy of defect-free InGaAs/GaAs quantum dots emitting around 1.3μm

L. Largeau
J Coelho
  • Fonction : Auteur
A Mereuta
  • Fonction : Auteur
G Gérard
  • Fonction : Auteur
I. Sagnes
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01939862 , version 1 (29-11-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01939862 , version 1

Citer

G. Saint-Girons, G. Patriarche, L. Largeau, J Coelho, A Mereuta, et al.. Metal-organic vapor-phase epitaxy of defect-free InGaAs/GaAs quantum dots emitting around 1.3μm. Journal of Crystal Growth, 2002, 235 (1-4), pp.89-94. ⟨hal-01939862⟩
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