Stacking faults in intrinsic and N-doped 4HSiC: true influence of the N-doping on their multiplicity - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Philosophical Magazine Année : 2013

Stacking faults in intrinsic and N-doped 4HSiC: true influence of the N-doping on their multiplicity

Gabrielle Regula
  • Fonction : Auteur
Maryse Lancin
  • Fonction : Auteur
Bernard Pichaud
  • Fonction : Auteur
Thomas Neisius
  • Fonction : Auteur
Rachid Daineche
Sandrine Juillaguet
Laboratoire Charles Coulomb
CV

Résumé

Stacking faults in intrinsic and N-doped 4HSiC: true influence of the N-doping on their multiplicity

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

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https://hal.science/hal-01936279

Soumis le : mardi 27 novembre 2018-12:36:16

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hal-01936279 , version 1 (27-11-2018)

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Citer

Gabrielle Regula, Maryse Lancin, Bernard Pichaud, Thomas Neisius, Rachid Daineche, et al.. Stacking faults in intrinsic and N-doped 4HSiC: true influence of the N-doping on their multiplicity. Philosophical Magazine, 2013, 93 (10-12), pp.1317-1325. ⟨10.1080/14786435.2012.745018⟩. ⟨hal-01936279⟩

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