Communication Dans Un Congrès
Année : 2013
Dauverchain Eric : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-01935692
Soumis le : mardi 27 novembre 2018-07:59:36
Dernière modification le : lundi 5 juin 2023-16:52:11
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-01935692 , version 1
Citer
I. El Moukhtari, V. Pouget, C. Larue, Frédéric Darracq, D. Lewis, et al.. Impact of Negative Bias Temperature Instability on the Single-Event Upset Threshold of a 65nm SRAM cell. ESREF 2013, 2013, Arcachon, France. ⟨hal-01935692⟩
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