Impact of Negative Bias Temperature Instability on the Single-Event Upset Threshold of a 65nm SRAM cell - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2013
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01935692 , version 1 (27-11-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01935692 , version 1

Citer

I. El Moukhtari, V. Pouget, C. Larue, Frédéric Darracq, D. Lewis, et al.. Impact of Negative Bias Temperature Instability on the Single-Event Upset Threshold of a 65nm SRAM cell. ESREF 2013, 2013, Arcachon, France. ⟨hal-01935692⟩
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