Gunn Effect in n-InP MOSFET at positive gate bias and impact ionization conditions - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2014
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01923504 , version 1 (15-11-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01923504 , version 1

Citer

V. Gruzinskis, E. Starikov, P. Shiktorov, H. Marinchio, J. Torres, et al.. Gunn Effect in n-InP MOSFET at positive gate bias and impact ionization conditions. IEEE International Workshop On Computational Electronics, 2014, Paris, France. ⟨hal-01923504⟩
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