High-photovoltage GaAs vertical epitaxial monolithic heterostructures with 20 thin p/n junctions and a conversion efficiency of 60%
S. Fafard
(1, 2)
,
F. Proulx
(1, 2)
,
M. York
(1, 2)
,
L. Richard
,
P. Provost
,
R. Arès
(1, 2)
,
V. Aimez
(3, 1, 2)
,
D. Masson
(4)
L. Richard
- Fonction : Auteur
- PersonId : 756370
- ORCID : 0000-0003-3446-7322
P. Provost
- Fonction : Auteur
V. Aimez
- Fonction : Auteur
- PersonId : 182750
- IdHAL : vaimez
- ORCID : 0000-0002-1594-3242
- IdRef : 144755300