Article Dans Une Revue
Applied Physics Letters
Année : 2016
UMI3463 LN2 : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-01918137
Soumis le : vendredi 9 novembre 2018-21:17:27
Dernière modification le : mardi 28 mai 2024-11:48:02
Citer
S. Fafard, F. Proulx, M. York, L. Richard, P. Provost, et al.. High-photovoltage GaAs vertical epitaxial monolithic heterostructures with 20 thin p/n junctions and a conversion efficiency of 60%. Applied Physics Letters, 2016, 109 (13), ⟨10.1063/1.4964120⟩. ⟨hal-01918137⟩
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