THz detection and generation by semiconductor heterostructures using transport properties in InGaAs HEMT and GaN 2D electron gas - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2008

THz detection and generation by semiconductor heterostructures using transport properties in InGaAs HEMT and GaN 2D electron gas

T. Laurent
  • Fonction : Auteur

Mots clés

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01904193 , version 1 (24-10-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01904193 , version 1

Citer

Laurent Chusseau, L. Varani, J. Torres, C. Palermo, P. Nouvel, et al.. THz detection and generation by semiconductor heterostructures using transport properties in InGaAs HEMT and GaN 2D electron gas. European Workshop on Heterostructure Technology, 2008, Venice, Italy. pp.155--156. ⟨hal-01904193⟩
29 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More