Surface-enhanced infrared absorption using highly doped InAsSb/GaSb Nanostructures - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2016

Surface-enhanced infrared absorption using highly doped InAsSb/GaSb Nanostructures

Domaines

Electronique
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01903778 , version 1 (24-10-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01903778 , version 1

Citer

M. Milla-Rodrigo, F. Barho, F. Gonzalez-Posada, L. Cerutti, E. Tournié, et al.. Surface-enhanced infrared absorption using highly doped InAsSb/GaSb Nanostructures. 2016 MRS (Material Research Society) Fall Meeting, 2016, Boston, United States. ⟨hal-01903778⟩
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