Article Dans Une Revue
Journal of Applied Physics
Année : 2010
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https://hal.science/hal-01892232
Soumis le : mercredi 10 octobre 2018-14:26:02
Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:53:08
Citer
J. Cheng, A. Chettaoui, J. Penuelas, B. Gobaut, P. Regreny, et al.. Partial arsenic pressure and crystal orientation during the molecular beam epitaxy of GaAs on SrTiO3(001). Journal of Applied Physics, 2010, 107 (9), ⟨10.1063/1.3407520⟩. ⟨hal-01892232⟩
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