Communication Dans Un Congrès
Année : 2012
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https://hal.science/hal-01882797
Soumis le : jeudi 27 septembre 2018-14:10:23
Dernière modification le : lundi 23 septembre 2024-15:13:27
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Identifiants
- HAL Id : hal-01882797 , version 1
Citer
S. Baudon, L. Boyer, P. Notingher, S. Agnel, V. Smet, et al.. Characterization of trench gate IGBT gate oxides submitted to thermo-electric cycling by capacitance-voltage and thermal step measurements. 8th Conference on the French Society of Electrostatics SFE, 2012, Cherbourg, France. ⟨hal-01882797⟩
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