High-Q RF CMOS Tunable Active Inductor for multistandard applications - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue International Review on Modelling and Simulations (IREMOS) Année : 2014

High-Q RF CMOS Tunable Active Inductor for multistandard applications

Aymen Ben Hammadi
  • Fonction : Auteur
Mongia Mhiri
  • Fonction : Auteur
Fayrouz. Haddad
Aix Marseille Université
Institut des Matériaux, de Microélectronique et des Nanosciences de Provence
Sehmi Saad
  • Fonction : Auteur
Kamel Besbes
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 857790
Université de Monastir - University of Monastir

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Fayrouz HADDAD  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01870151

Soumis le : vendredi 7 septembre 2018-11:06:03

Dernière modification le : lundi 10 juin 2024-16:58:03

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Dates et versions

hal-01870151 , version 1 (07-09-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01870151 , version 1

Citer

Aymen Ben Hammadi, Mongia Mhiri, Fayrouz. Haddad, Sehmi Saad, Kamel Besbes. High-Q RF CMOS Tunable Active Inductor for multistandard applications. International Review on Modelling and Simulations (IREMOS), 2014. ⟨hal-01870151⟩

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