Advanced modulation format using silicon modulators in the O-band

This paper review our recent work on silicon modulators based on free carrier concentration, working in the O-band of optical communications (1260 nm-1360 nm) for short distance applications. 25 Gbit/s OOK modulation is obtained using a driving voltage of 3.3 Vpp , and QPSK dual-drive Mach-Zehnder modulator (DDMZM) operating in the O-band is demonstrated for the first time.

Mots clés

silicon modulator Mach Zehnder QPSK advanced modulation format

Domaines

Optique / photonique

Fichier principal

OE110_Marris-Morini_proceedings_v2.pdf (579.71 Ko)

Origine	Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

Delphine Marris-Morini : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01868631

Soumis le : mercredi 5 septembre 2018-16:13:01

Dernière modification le : lundi 16 septembre 2024-17:52:04

Archivage à long terme le : jeudi 6 décembre 2018-16:50:20

Dates et versions

hal-01868631 , version 1 (05-09-2018)

Identifiants

HAL Id : hal-01868631 , version 1
DOI : 10.1117/12.2291888

Citer

Diego Perez-Galacho, Laurent Bramerie, Charles Baudot, Mohamed Chaibi, Sonia Messaoudène, et al.. Advanced modulation format using silicon modulators in the O-band. SPIE Photonics West - OPTO 2018, Jan 2018, San Francisco, CA, United States. pp.105351K, ⟨10.1117/12.2291888⟩. ⟨hal-01868631⟩

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