InAs/GaSb superlattice pin photodiode : choice of the SL period to enhance the temperature operation in the MWIR domain - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2013
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01864247 , version 1 (29-08-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01864247 , version 1

Citer

Philippe Christol, R. Taalat, M. Delmas, J.-B. Rodriguez, E. Giard, et al.. InAs/GaSb superlattice pin photodiode : choice of the SL period to enhance the temperature operation in the MWIR domain. SPIE “Quantum Sensing and Nanophotonic Devices X”, 2013, San Francisco, United States. ⟨hal-01864247⟩
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