Temperature-dependent terahertz spectroscopy of inverted-band three-layer InAs/GaSb/InAs quantum well - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Physical Review B Année : 2018

Temperature-dependent terahertz spectroscopy of inverted-band three-layer InAs/GaSb/InAs quantum well

Sandra Ruffenach
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M. Marcinkiewicz
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M. A. Fadeev
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Aleksandr Kadykov
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V. V. Rumyantsev
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S. V. Morozov
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V. I. Gavrilenko
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Christophe Consejo
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Wilfried Desrat
Benoit Jouault
Wojciech Knap
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Résumé

We report on temperature-dependent terahertz spectroscopy of a three-layer InAs/GaSb/InAs quantum well (QW) with inverted-band structure. The interband optical transitions, measured up to 16 T at different temperatures by Landau-level magnetospectroscopy, demonstrate the inverted-band structure of the QW. The terahertz photoluminescence at different temperatures allows us to directly extract the optical gap in the vicinity of the Γ point of the Brillouin zone. Our results experimentally demonstrate that the gap in the three-layer QWs is temperature independent and exceeds by four times the maximum band gap available in the inverted InAs/GaSb bilayers.
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PhysRevB.97.245419.pdf (2.09 Mo) Télécharger le fichier
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Dates et versions

hal-01862289 , version 1 (09-12-2020)

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Citer

Sergey S. Krishtopenko, Sandra Ruffenach, F. Gonzalez-Posada, G. Boissier, M. Marcinkiewicz, et al.. Temperature-dependent terahertz spectroscopy of inverted-band three-layer InAs/GaSb/InAs quantum well. Physical Review B, 2018, 97 (24), pp.245419. ⟨10.1103/PhysRevB.97.245419⟩. ⟨hal-01862289⟩
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