Fabrication, caractérisation et simulation d’hétérojonctions tunnel et d’un absorbeur à 1eV à base de semiconducteurs III-V pour les cellules solaires multijonctions à haut rendement - Archive ouverte HAL
Poster De Conférence Année : 2016

Fabrication, caractérisation et simulation d’hétérojonctions tunnel et d’un absorbeur à 1eV à base de semiconducteurs III-V pour les cellules solaires multijonctions à haut rendement

Domaines

Optique / photonique Matériaux

Guilhem Almuneau  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01857637

Soumis le : jeudi 16 août 2018-17:41:10

Dernière modification le : mardi 3 septembre 2024-11:16:05

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Dates et versions

hal-01857637 , version 1 (16-08-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01857637 , version 1

Citer

Kevin Louarn, Chantal Fontaine, Alexandre Arnoult, François Olivie, François Piquemal, et al.. Fabrication, caractérisation et simulation d’hétérojonctions tunnel et d’un absorbeur à 1eV à base de semiconducteurs III-V pour les cellules solaires multijonctions à haut rendement. 15eme Journees Nano, Micro et Optoelectronique (JNMO), May 2016, Les Issambres, France. 2016. ⟨hal-01857637⟩

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