Tensile-Strained Ga1-xInxAs / GaSb Heterostructures for Mid-IR Applications - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2010
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01831106 , version 1 (05-07-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01831106 , version 1

Citer

T. Taliercio, E. Luna, A. Gassenq, A. Trampert, E. Tournié. Tensile-Strained Ga1-xInxAs / GaSb Heterostructures for Mid-IR Applications. 10th Mid-Infrared Optcal Materials and Devices International Conference (MIOMD-10), 2010, Shanghai, China. ⟨hal-01831106⟩
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