Communication Dans Un Congrès
Année : 2010
Dauverchain Eric : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-01830997
Soumis le : jeudi 5 juillet 2018-15:05:44
Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:53:07
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-01830997 , version 1
Citer
S. Ben Rejeb, M. Debbichi, M. Saîd, A. Gassenq, E. Tournié, et al.. Effect of asymmetric interface profile on the electronic properties of InAs/GaSb/InSb short-period superlattice structures. International Conference on Nano-Materials and Renewable Energie, 2010, Safi, Morocco. ⟨hal-01830997⟩
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