Highly Tensile-Strained Ga0.5In0.5As/GaSb Heterostructures - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2010
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01830920 , version 1 (05-07-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01830920 , version 1

Citer

T. Taliercio, A. Gassenq, E. Luna, A. Trampert, E. Tournié. Highly Tensile-Strained Ga0.5In0.5As/GaSb Heterostructures. 37th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2010), 2010, Takamatsu, Japan. ⟨hal-01830920⟩
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