Communication Dans Un Congrès
Année : 2010
Dauverchain Eric : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-01830920
Soumis le : jeudi 5 juillet 2018-14:34:48
Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:53:07
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-01830920 , version 1
Citer
T. Taliercio, A. Gassenq, E. Luna, A. Trampert, E. Tournié. Highly Tensile-Strained Ga0.5In0.5As/GaSb Heterostructures. 37th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2010), 2010, Takamatsu, Japan. ⟨hal-01830920⟩
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