Mask effect in nano-selective- area-growth by MOCVD on thickness enhancement, indium incorporation, and emission of InGaN nanostructures on AlN-buffered Si(111) substrates - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Optical Materials Express Année : 2017

Mask effect in nano-selective- area-growth by MOCVD on thickness enhancement, indium incorporation, and emission of InGaN nanostructures on AlN-buffered Si(111) substrates

Y. El Gmili
  • Fonction : Auteur
Georgia Tech Lorraine [Metz]
P. Bonanno
  • Fonction : Auteur
S. Sundaram
  • Fonction : Auteur
Georgia Tech Lorraine [Metz]
Xiaojian Li
  • Fonction : Auteur
R. Puybaret
  • Fonction : Auteur
G. Patriarche
C. Pradalier
Georgia Tech Lorraine [Metz]
CV
J. Decobert
  • Fonction : Auteur
Alcatel-Thalès III-V lab
P. Voss
  • Fonction : Auteur
Georgia Tech Lorraine [Metz]
Jean-Paul Salvestrini
Georgia Tech Lorraine [Metz]
CV
A. Ougazzaden
Georgia Tech Lorraine [Metz]

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics] Optique / photonique

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https://hal.science/hal-01830918

Soumis le : jeudi 5 juillet 2018-14:34:02

Dernière modification le : jeudi 1 février 2024-14:23:35

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Dates et versions

hal-01830918 , version 1 (05-07-2018)

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Citer

Y. El Gmili, P. Bonanno, S. Sundaram, Xiaojian Li, R. Puybaret, et al.. Mask effect in nano-selective- area-growth by MOCVD on thickness enhancement, indium incorporation, and emission of InGaN nanostructures on AlN-buffered Si(111) substrates. Optical Materials Express, 2017, 7 (2), ⟨10.1364/OME.7.000376⟩. ⟨hal-01830918⟩

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