Communication Dans Un Congrès
Année : 2009
Dauverchain Eric : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-01827627
Soumis le : lundi 2 juillet 2018-15:11:39
Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:53:07
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-01827627 , version 1
Citer
B. Satpati, V. Tasco, N. Deguffroy, A. N. Baranov, E. Tournié, et al.. Structural properties and strain relaxation mechanisms of MBE grown InSb quantum dots on GaSb substrates. 2nd Int. Conference on Physics at Surfaces and Interfaces (PSI2009), 2009, Puri, India. ⟨hal-01827627⟩
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