Structural properties and strain relaxation mechanisms of MBE grown InSb quantum dots on GaSb substrates - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2009
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01827627 , version 1 (02-07-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01827627 , version 1

Citer

B. Satpati, V. Tasco, N. Deguffroy, A. N. Baranov, E. Tournié, et al.. Structural properties and strain relaxation mechanisms of MBE grown InSb quantum dots on GaSb substrates. 2nd Int. Conference on Physics at Surfaces and Interfaces (PSI2009), 2009, Puri, India. ⟨hal-01827627⟩
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