Communication Dans Un Congrès
Année : 2008
Dauverchain Eric : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-01826523
Soumis le : vendredi 29 juin 2018-14:44:32
Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:53:07
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-01826523 , version 1
Citer
B. Satpati, E. Luna, A. Trampert, N. Deguffroy, V. Tasco, et al.. Strain relaxation mechanism in the MBE grown InSb/GaSb material system. International Symposium on Compound Semiconductors 2008 (ISCS2008), 2008, Rust, Germany. ⟨hal-01826523⟩
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