Strain relaxation mechanism in the MBE grown InSb/GaSb material system - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2008
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01826523 , version 1 (29-06-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01826523 , version 1

Citer

B. Satpati, E. Luna, A. Trampert, N. Deguffroy, V. Tasco, et al.. Strain relaxation mechanism in the MBE grown InSb/GaSb material system. International Symposium on Compound Semiconductors 2008 (ISCS2008), 2008, Rust, Germany. ⟨hal-01826523⟩
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