MBE growth of mid-IR diode lasers based on InAs/GaSb/InSb short-period superlattice active zones - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2008
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01825818 , version 1 (28-06-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01825818 , version 1

Citer

A. Gassenq, L. Cerutti, Alexei Baranov, E. Tournié. MBE growth of mid-IR diode lasers based on InAs/GaSb/InSb short-period superlattice active zones. International Molecular Beam Epitaxy Conference (MBE international), 2008, Vancouver, Canada. ⟨hal-01825818⟩
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