An Ultra-Low Power 28nm FD-SOI Low Noise Amplifier based on Channel Aware Receiver System Analysis - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Journal of Low Power Electronics and Applications Année : 2018

An Ultra-Low Power 28nm FD-SOI Low Noise Amplifier based on Channel Aware Receiver System Analysis

J. Zaini-Desevedavy
  • Fonction : Auteur
Hameau F.
  • Fonction : Auteur
Thierry Taris
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 843341
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système
D. Morche
  • Fonction : Auteur
P. Audebert
  • Fonction : Auteur

Domaines

Electronique

Jean Marie Pham  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01815710

Soumis le : jeudi 14 juin 2018-14:10:00

Dernière modification le : lundi 5 juin 2023-16:52:11

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01815710 , version 1 (14-06-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01815710 , version 1

Citer

J. Zaini-Desevedavy, Hameau F., Thierry Taris, D. Morche, P. Audebert. An Ultra-Low Power 28nm FD-SOI Low Noise Amplifier based on Channel Aware Receiver System Analysis. Journal of Low Power Electronics and Applications, 2018, 8 (2). ⟨hal-01815710⟩

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