Article Dans Une Revue
physica status solidi (a)
Année : 2012
Christophe THIBAULT : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-01810914
Soumis le : vendredi 8 juin 2018-12:33:43
Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:08:12
Citer
Frédéric Cayrel, Olivier Ménard, Arnaud Yvon, Nicolas Thierry-Jébali, Christian Brylinsky, et al.. TiAl Ohmic Contact on GaN, in Situ High or Low Doped or Si Implanted, Epitaxially Grown on Sapphire or Silicon. physica status solidi (a), 2012, 209 (6), pp.1059-1066. ⟨10.1002/pssa.201127564⟩. ⟨hal-01810914⟩
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