Investigation of charge-trap memories with AlN based band engineered storage layers - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Solid-State Electronics Année : 2011

Investigation of charge-trap memories with AlN based band engineered storage layers

Gabriel Molas
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
J.P. Colonna
  • Fonction : Auteur
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
R. Kies
  • Fonction : Auteur
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
D. Belhachemi
  • Fonction : Auteur
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
Marc Bocquet
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
CV
M. Gély
  • Fonction : Auteur
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
V. Vidal
  • Fonction : Auteur
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
P. Brianceau
  • Fonction : Auteur
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
E. Martinez
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
A.M. Papon
  • Fonction : Auteur
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
C. Licitra
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
L. Vandroux
  • Fonction : Auteur
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
Gérard Ghibaudo
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation
CV
Barbara Desalvo
  • Fonction : Auteur
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Marc Bocquet  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

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Soumis le : vendredi 1 juin 2018-09:00:52

Dernière modification le : mercredi 18 décembre 2024-10:11:19

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Dates et versions

hal-01804675 , version 1 (01-06-2018)

Identifiants

Citer

Gabriel Molas, J.P. Colonna, R. Kies, D. Belhachemi, Marc Bocquet, et al.. Investigation of charge-trap memories with AlN based band engineered storage layers. Solid-State Electronics, 2011, 58 (1), pp.68 - 74. ⟨10.1016/j.sse.2010.11.030⟩. ⟨hal-01804675⟩

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