Reactor wall plasma cleaning processes after InP etching in Cl2/CH4/Ar ICP discharge - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2014
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01798099 , version 1 (23-05-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01798099 , version 1

Citer

C. Chanson, E. Pargon, M. Darnon, C. Petit Etienne, M. Foucher, et al.. Reactor wall plasma cleaning processes after InP etching in Cl2/CH4/Ar ICP discharge. Plasma Etch and Strip in Microelectronics (PESM), 7th International Workshop, May 2014, grenoble, France. ⟨hal-01798099⟩
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