Room temperature GaInAsSb/GaSb quantum well laser for tunable diode laser absorption spectroscopy around 2.35 μm - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue IEE Proceedings Optoelectronics Année : 2000

Room temperature GaInAsSb/GaSb quantum well laser for tunable diode laser absorption spectroscopy around 2.35 μm

Domaines

Electronique
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01793936 , version 1 (17-05-2018)

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Citer

A. Vicet, F. Genty, E.M. Skouri, C. Alibert, J.-C. Nicolas, et al.. Room temperature GaInAsSb/GaSb quantum well laser for tunable diode laser absorption spectroscopy around 2.35 μm. IEE Proceedings Optoelectronics, 2000, 147 (3), pp.172 - 176. ⟨10.1049/ip-opt:20000298⟩. ⟨hal-01793936⟩
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