Comparison between positive and negative bias stress on N‐channel VDMOSFET transistors - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue International Journal of Structural Integrity Année : 2013
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Dates et versions

hal-01791436 , version 1 (14-05-2018)

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Citer

N. Abboud, R. Habch, Y. Cuminal, A. Foucaran, C. Salame. Comparison between positive and negative bias stress on N‐channel VDMOSFET transistors. International Journal of Structural Integrity, 2013, 4 (2), pp.267 - 274. ⟨10.1108/17579861311321735⟩. ⟨hal-01791436⟩
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