Article Dans Une Revue
International Journal of Structural Integrity
Année : 2013
Dauverchain Eric : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-01791436
Soumis le : lundi 14 mai 2018-16:08:18
Dernière modification le : mercredi 7 février 2024-15:42:07
Citer
N. Abboud, R. Habch, Y. Cuminal, A. Foucaran, C. Salame. Comparison between positive and negative bias stress on N‐channel VDMOSFET transistors. International Journal of Structural Integrity, 2013, 4 (2), pp.267 - 274. ⟨10.1108/17579861311321735⟩. ⟨hal-01791436⟩
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