Temperature effect on an N-channel commercial VDMOSFET transistor - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue physica status solidi (c) Année : 2011

Dates et versions

hal-01791366 , version 1 (14-05-2018)

Identifiants

Citer

Nadine Abboud, Chafic Salame, Yvan Cuminal, Alain Foucaran, Alain Hoffmann. Temperature effect on an N-channel commercial VDMOSFET transistor. physica status solidi (c), 2011, 8 (3), pp.875 - 878. ⟨10.1002/pssc.201000121⟩. ⟨hal-01791366⟩
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