Article Dans Une Revue
Inorganic Chemistry
Année : 2017
Romain Viennois : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-01783571
Soumis le : mercredi 2 mai 2018-14:57:41
Dernière modification le : mercredi 18 décembre 2024-09:42:45
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-01783571 , version 1
- DOI : 10.1021/acs.inorgchem.7b01318
Citer
Romain Viennois, Roseline Esmilaire, Loic Perriere, Abel Haidoux, Eric Alleno, et al.. Crystal Structure, Stability, and Physical Properties of Metastable Electron-Poor Narrow-Gap AlGe Semiconductor. Inorganic Chemistry, 2017, 56 (19), pp.11591 - 11602. ⟨10.1021/acs.inorgchem.7b01318⟩. ⟨hal-01783571⟩
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