InAs/GaSb superlattice pin photodiode: choice of the SL period to enhance the temperature operation in the MWIR domain - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2013
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01756716 , version 1 (02-04-2018)

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Citer

Philippe Christol, R. Taalat, M. Delmas, Jean-Baptiste Rodriguez, E. Giard, et al.. InAs/GaSb superlattice pin photodiode: choice of the SL period to enhance the temperature operation in the MWIR domain. SPIE OPTO, 2013, San Francisco, United States. ⟨10.1117/12.2001765⟩. ⟨hal-01756716⟩
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