The effect of SF 6 addition in a Cl 2 /Ar inductively coupled plasma for deep titanium etching - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Journal of Micromechanics and Microengineering Année : 2018

The effect of SF 6 addition in a Cl 2 /Ar inductively coupled plasma for deep titanium etching

Domaines

Génie des procédés Plasmas Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Rémi Dussart  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01735469

Soumis le : vendredi 16 mars 2018-05:04:13

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Dates et versions

hal-01735469 , version 1 (16-03-2018)

Identifiants

Citer

Edouard Laudrel, Thomas Tillocher, Yannick Meric, Philippe Lefaucheux, Bertrand Boutaud, et al.. The effect of SF 6 addition in a Cl 2 /Ar inductively coupled plasma for deep titanium etching. Journal of Micromechanics and Microengineering, 2018, 28 (5), ⟨10.1088/1361-6439/aaafe7⟩. ⟨hal-01735469⟩

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