Redistribution of phosphorus during Ni 0.9 Pt 0.1 -based silicide formation on phosphorus implanted Si substrates - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Journal of Applied Physics Année : 2018

Redistribution of phosphorus during Ni 0.9 Pt 0.1 -based silicide formation on phosphorus implanted Si substrates

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hal-01728691 , version 1 (14-02-2022)

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Citer

M. Lemang, Ph. Rodriguez, F. Nemouchi, M. Juhel, M. Grégoire, et al.. Redistribution of phosphorus during Ni 0.9 Pt 0.1 -based silicide formation on phosphorus implanted Si substrates. Journal of Applied Physics, 2018, 123 (8), ⟨10.1063/1.5020123⟩. ⟨hal-01728691⟩

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