Article Dans Une Revue
Solid-State Electronics
Année : 2017
Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-01712353
Soumis le : lundi 19 février 2018-14:18:53
Dernière modification le : samedi 24 janvier 2026-15:16:17
Citer
D. Boudier, B. Cretu, E. Simoen, Régis Carin, A. Veloso, et al.. Low frequency noise assessment in n- and p-channel sub-10nm triple-gate FinFETs: Part II: Measurements and results. Solid-State Electronics, 2017, 128, pp.109 - 114. ⟨10.1016/j.sse.2016.10.013⟩. ⟨hal-01712353⟩
Collections
107
Consultations
0
Téléchargements