Large-Signal Static Compact Circuit Model of SiGe Heterojunction Bipolar Phototransistors: Effect of the Distributed Nature of Currents - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue IEEE Transactions on Electron Devices Année : 2018

Large-Signal Static Compact Circuit Model of SiGe Heterojunction Bipolar Phototransistors: Effect of the Distributed Nature of Currents

Z. Tegegne
  • Fonction : Auteur
S. Mazer
  • Fonction : Auteur
J.L. Polleux
M. El Bekkali
  • Fonction : Auteur

Domaines

Electronique
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01708901 , version 1 (14-02-2018)

Identifiants

Citer

Alae Alaebennour@gmail.Com Bennour, Z. Tegegne, S. Mazer, J.L. Polleux, M. El Bekkali, et al.. Large-Signal Static Compact Circuit Model of SiGe Heterojunction Bipolar Phototransistors: Effect of the Distributed Nature of Currents. IEEE Transactions on Electron Devices, 2018, pp.1 - 7. ⟨10.1109/TED.2017.2788447⟩. ⟨hal-01708901⟩

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