Robustness Study of SiC MOSFET Under Harsh Electrical and Thermal Constraints - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2014

Robustness Study of SiC MOSFET Under Harsh Electrical and Thermal Constraints

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics] Energie électrique

Stéphane Lefebvre  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01700474

Soumis le : dimanche 4 février 2018-16:37:32

Dernière modification le : vendredi 19 juillet 2024-11:38:04

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Dates et versions

hal-01700474 , version 1 (04-02-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01700474 , version 1

Citer

Mbarek Safa, Pascal Dherbécourt, O. Latry, Francois Fouquet, Othman Dhouha, et al.. Robustness Study of SiC MOSFET Under Harsh Electrical and Thermal Constraints. CENICS, 2014, Lisbonne, Portugal. ⟨hal-01700474⟩

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