Robustness Study of SiC MOSFET Under Harsh Electrical and Thermal Constraints - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2014
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01700474 , version 1 (04-02-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01700474 , version 1

Citer

Mbarek Safa, Pascal Dherbécourt, O. Latry, Francois Fouquet, Othman Dhouha, et al.. Robustness Study of SiC MOSFET Under Harsh Electrical and Thermal Constraints. CENICS, 2014, Lisbonne, Portugal. ⟨hal-01700474⟩
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