Reliability of high-speed SiGe:C HBT under electrical stress close to the SOA limit - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Microelectronics Reliability Année : 2015

Reliability of high-speed SiGe:C HBT under electrical stress close to the SOA limit

T. Jacquet
  • Fonction : Auteur
G. Sasso
  • Fonction : Auteur
A. Chakravorty
  • Fonction : Auteur
N. Rinaldi
  • Fonction : Auteur
K. Aufinger
  • Fonction : Auteur
T. Zimmer
  • Fonction : Auteur
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système
V. d'Alessandro
  • Fonction : Auteur
C. Maneux
  • Fonction : Auteur
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

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Soumis le : lundi 29 janvier 2018-11:00:28

Dernière modification le : mercredi 15 novembre 2023-13:14:27

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hal-01695288 , version 1 (29-01-2018)

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Citer

T. Jacquet, G. Sasso, A. Chakravorty, N. Rinaldi, K. Aufinger, et al.. Reliability of high-speed SiGe:C HBT under electrical stress close to the SOA limit. Microelectronics Reliability, 2015, 55 (9-10), pp.1433 - 1437. ⟨10.1016/j.microrel.2015.06.092⟩. ⟨hal-01695288⟩

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