Comprehensive study of random telegraph noise in base and collector of advanced SiGe HBT: Bias, geometry and trap locations - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2016

Comprehensive study of random telegraph noise in base and collector of advanced SiGe HBT: Bias, geometry and trap locations

C. Mukherjee
  • Fonction : Auteur
T. Jacquet
  • Fonction : Auteur
T. Zimmer
  • Fonction : Auteur
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système
C. Maneux
  • Fonction : Auteur
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système
A. Chakravorty
  • Fonction : Auteur
J. Boeck
  • Fonction : Auteur
K. Aufinger
  • Fonction : Auteur

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

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https://hal.science/hal-01695274

Soumis le : lundi 29 janvier 2018-10:57:20

Dernière modification le : mercredi 15 novembre 2023-13:14:27

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01695274 , version 1 (29-01-2018)

Identifiants

Citer

C. Mukherjee, T. Jacquet, T. Zimmer, C. Maneux, A. Chakravorty, et al.. Comprehensive study of random telegraph noise in base and collector of advanced SiGe HBT: Bias, geometry and trap locations. ESSDERC 2016 - 46th European Solid-State Device Research Conference, Sep 2016, Lausanne, France. ⟨10.1109/ESSDERC.2016.7599635⟩. ⟨hal-01695274⟩

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