Article Dans Une Revue IEEE Transactions on Electron Devices Année : 2017

Microscopic Hot-Carrier Degradation Modeling of SiGe HBTs Under Stress Conditions Close to the SOA Limit

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01695268 , version 1 (29-01-2018)

Identifiants

Citer

Hamed Kamrani, Dominic Jabs, Vincenzo d'Alessandro, Niccolo Rinaldi, Thomas Jacquet, et al.. Microscopic Hot-Carrier Degradation Modeling of SiGe HBTs Under Stress Conditions Close to the SOA Limit. IEEE Transactions on Electron Devices, 2017, 64 (3), pp.923 - 929. ⟨10.1109/TED.2017.2653197⟩. ⟨hal-01695268⟩
96 Consultations
0 Téléchargements

Altmetric

Partager

  • More