Microscopic Hot-Carrier Degradation Modeling of SiGe HBTs Under Stress Conditions Close to the SOA Limit - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue IEEE Transactions on Electron Devices Année : 2017

Microscopic Hot-Carrier Degradation Modeling of SiGe HBTs Under Stress Conditions Close to the SOA Limit

Hamed Kamrani
  • Fonction : Auteur
Dominic Jabs
  • Fonction : Auteur
Vincenzo d'Alessandro
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Niccolo Rinaldi
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Thomas Jacquet
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1026301
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système
Cristell Maneux
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système
Thomas Zimmer
  • Fonction : Auteur
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système
Klaus Aufinger
  • Fonction : Auteur
Christoph Jungemann
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Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

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Soumis le : lundi 29 janvier 2018-10:55:37

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hal-01695268 , version 1 (29-01-2018)

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Citer

Hamed Kamrani, Dominic Jabs, Vincenzo d'Alessandro, Niccolo Rinaldi, Thomas Jacquet, et al.. Microscopic Hot-Carrier Degradation Modeling of SiGe HBTs Under Stress Conditions Close to the SOA Limit. IEEE Transactions on Electron Devices, 2017, 64 (3), pp.923 - 929. ⟨10.1109/TED.2017.2653197⟩. ⟨hal-01695268⟩

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