Chemical composition fluctuations and strain relaxation in InGaN nanowires: The role of the metal/nitrogen flux ratio - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Materials Science in Semiconductor Processing Année : 2016

Chemical composition fluctuations and strain relaxation in InGaN nanowires: The role of the metal/nitrogen flux ratio

Xin Zhang
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 757471
  • IdRef : 182683214
Nanophysique et Semiconducteurs
Matthias Belloeil
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 785278
  • IdRef : 221453075
Nanophysique et Semiconducteurs
Pierre-Henri Jouneau
Laboratoire d'Etude des Matériaux par Microscopie Avancée
CV
Catherine Bougerol
Nanophysique et Semiconducteurs
Bruno Gayral
Nanophysique et Semiconducteurs
CV
Bruno Daudin
Nanophysique et Semiconducteurs

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

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Citer

Xin Zhang, Matthias Belloeil, Pierre-Henri Jouneau, Catherine Bougerol, Bruno Gayral, et al.. Chemical composition fluctuations and strain relaxation in InGaN nanowires: The role of the metal/nitrogen flux ratio. Materials Science in Semiconductor Processing, 2016, 55, pp.79 - 84. ⟨10.1016/j.mssp.2016.03.006⟩. ⟨hal-01677509⟩

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