Article Dans Une Revue
Semiconductor Science and Technology
Année : 2017
Catherine Bougerol : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-01677499
Soumis le : lundi 8 janvier 2018-13:58:18
Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:16:45
Citer
Caroline B. Lim, Akhil Ajay, Jonas Lähnemann, Catherine Bougerol, Eva Monroy. Effect of Ge-doping on the short-wave, mid- and far-infrared intersubband transitions in GaN/AlGaN heterostructures. Semiconductor Science and Technology, 2017, 32 (12), pp.125002. ⟨10.1088/1361-6641/aa919c⟩. ⟨hal-01677499⟩
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