CVD of aluminium nitrides for high temperature applications - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2015

CVD of aluminium nitrides for high temperature applications

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Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01677329 , version 1 (08-01-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01677329 , version 1

Citer

Michel Pons, Raphael Boichot, Frederic Mercier, Elisabeth Blanquet. CVD of aluminium nitrides for high temperature applications. International Conference on Crystal Growth (3CG), Nitrides for lighting, Photovoltaics and sensing applications, Dec 2015, Hong Khong, Japan. ⟨hal-01677329⟩
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