Study of the Ti/Al/Ni/Au ohmic contact on n-GaN for high temperature applications - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 1998
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01654296 , version 1 (03-12-2017)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01654296 , version 1

Citer

S. Trassaert, B. Boudart, Xavier Wallart, Didier Theron, Y. Crosnier. Study of the Ti/Al/Ni/Au ohmic contact on n-GaN for high temperature applications. 8th European Workshop on Heterostructure Technology (HETECH), 1998, Cardiff, United Kingdom. ⟨hal-01654296⟩
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