Article Dans Une Revue
Solid-State Electronics
Année : 2011
Frédéric Martinez : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-01653010
Soumis le : jeudi 30 novembre 2017-23:02:06
Dernière modification le : mercredi 15 mai 2024-13:42:16
Citer
F. Lime, R. Ritzenthaler, M. Ricoma, F. Martinez, F. Pascal, et al.. A physical compact DC drain current model for long-channel undoped ultra-thin body (UTB) SOI and asymmetric double-gate (DG) MOSFETs with independent gate operation. Solid-State Electronics, 2011, 57 (1), pp.61 - 66. ⟨10.1016/j.sse.2010.11.034⟩. ⟨hal-01653010⟩
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