Bipolar transistors under positive and negative gate bias stresses - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2005
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01651276 , version 1 (28-11-2017)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01651276 , version 1

Citer

C.O. Maïga, Boubekeur Tala-Ighil, H. Toutah, Bertrand Boudart. Bipolar transistors under positive and negative gate bias stresses. IEEE International Symposium on Industrial Electronics (ISIE05), 2005, Dubrovnik, Croatia. ⟨hal-01651276⟩
12 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More