Bipolar transistors under positive and negative gate bias stresses - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2005

Bipolar transistors under positive and negative gate bias stresses

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Sciences de l'ingénieur [physics] Electronique

Bertrand BOUDART  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01651276

Soumis le : mardi 28 novembre 2017-19:18:07

Dernière modification le : mercredi 9 mars 2022-14:14:03

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01651276 , version 1 (28-11-2017)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01651276 , version 1

Citer

C.O. Maïga, Boubekeur Tala-Ighil, H. Toutah, Bertrand Boudart. Bipolar transistors under positive and negative gate bias stresses. IEEE International Symposium on Industrial Electronics (ISIE05), 2005, Dubrovnik, Croatia. ⟨hal-01651276⟩

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