Comparison Between the Behaviour of Punch-Through and Non-Punch-Through Insulated Gate Bipolar Transistors Under High Temperature Reverse Bias Stress - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Microelectronics Reliability Année : 2004

Comparison Between the Behaviour of Punch-Through and Non-Punch-Through Insulated Gate Bipolar Transistors Under High Temperature Reverse Bias Stress

C.O. Maïga
  • Fonction : Auteur
Laboratoire Universitaire des Sciences Appliquées de Cherbourg
H. Toutah
  • Fonction : Auteur
Boubekeur Tala-Ighil
  • Fonction : Auteur
B. Boudart
Laboratoire Universitaire des Sciences Appliquées de Cherbourg

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics] Electronique

Bertrand BOUDART  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01647697

Soumis le : vendredi 24 novembre 2017-15:01:28

Dernière modification le : mercredi 2 août 2023-16:40:25

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Dates et versions

hal-01647697 , version 1 (24-11-2017)

Identifiants

Citer

C.O. Maïga, H. Toutah, Boubekeur Tala-Ighil, B. Boudart. Comparison Between the Behaviour of Punch-Through and Non-Punch-Through Insulated Gate Bipolar Transistors Under High Temperature Reverse Bias Stress. Microelectronics Reliability, 2004, 44 (9-11), pp.1461 - 1465. ⟨10.1016/j.microrel.2004.07.040⟩. ⟨hal-01647697⟩

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